N-CHANNEL 600 V-0.27 OHM-14 A-TO-247 FDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 600V, 14A, TO 247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.27ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -100%

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-247

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)14 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance299 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time28 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance1.25 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation125 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation125 W

Rds On Max299 mΩ

Resistance299 mΩ

Rise Time20 ns

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time47 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Dimensions

Height20.15 mm

Length15.75 mm

Width5.15 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW15NM60ND herunter.