STMicroelectronics STW10NK60Z

N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
$ 2.072
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW10NK60Z herunter.

Future Electronics

Datasheet24 SeitenVor 14 Jahren

element14 APAC

TME

Newark

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-11.84%

CAD-Modelle

Laden Sie STMicroelectronics STW10NK60Z Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTW13NK60Z
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A, TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTW13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW18N60DM2
N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
11.6 A 500 V 0.38 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STW10NK60Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
STW10NK60Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10 A, 600 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipatio
N Channel Mosfet, 600V, 10A, To-247; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:10A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):0.65Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STW10NK60Z

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics