STMicroelectronics STU4N52K3
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU4N52K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ohm typ., SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
Mosfet Transistor, N Channel, 2.5 A, 525 V, 2.1 Ohm, 10 V, 3.75 V |Stmicroelectronics STU4N52K3
STU4N52K3 N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 525 V, 3-Pin TO-220
Power MOSFET, N Channel, 525 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Through Hole
MOSFET N-Ch 525V 2.5A 45W(Tc) 2.6Ω@1.25A,10V 11nC@10V 334pF@100V TO-251 TH
2.5 A 525 V 2.6 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1typ., SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages | MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
MOSFET, N CH, 525V, 2.5A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: 525V; On Resistance Rds(on): 2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; P
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage525 V
Drain to Source Resistance2.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)525 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance334 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage525 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max2.6 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant