STMicroelectronics STP8NM50
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STP8NM50 | 358 | 3K | Tray | 2d | |||||||
| Win Source | WS-STP8NM50 | 22.000 | 145 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP8NM50 | 19.595 | 7 | Tube | 1d | |||||||
| Esaler Electronic | STP8NM50 | 1.000 | 2d | |||||||||
| Aztech | STP8NM50 | 9.256 | 22h |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-10-27
LTD Date2012-04-27
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP8NM50, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh™Power MOSFET | MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
Power MOSFET Transistors N-Ch 500 Volt 8 Amp
N-CHANNEL 500V-0.7 OHM-8A-TO-220 MDMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance415 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Rds On Max800 mΩ
Resistance800 MΩ
Rise Time8 ns
Voltage Rating (DC)550 V
Datenblätter und Dokumente
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