STMicroelectronics STP7N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
STMicroelectronicsSTP6NK60ZFP
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP7N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.86 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP7N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5 A, 650 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 5A, 150Deg C, 60W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP7N60M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +42.20%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance950 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance271 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max950 mΩ
Resistance950 mΩ
Rise Time7.2 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19.3 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant