STMicroelectronics STP75NF20
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
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MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP75NF20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 200 V, 0.028 Ohm typ., 75 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STP75NF20 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 75 A, 200 V, 3-PIN TO-220
Single N-Channel 200 V 190 W 84 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
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MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 75A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance34 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.26 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max34 mΩ
Resistance5.9 MΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height19.68 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant