STMicroelectronics STP6NK90Z
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MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonIPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3 N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP6NK90Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 900 V, 1.56 Ohm, 5.8 A TO-220 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STP6NK90Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5.8 A, 900 V, 3-PIN TO-220
MOSFET, Single - N-Channel, 900V, 5.8A, 140W, TO-220AB
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Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh, SuperMESHseries, Vds=900 V, 5.8 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.8A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Current Rating5.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant