STMicroelectronics STP60NF10
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP60NF10, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
N-CHANNEL 100V - 0.019Ohm - 80A D2PAK/TO-220/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET
STP60NF10 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V STripFET II, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFET IIseries, Vds=100 V, 80 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:300W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.27 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance23 mΩ
Rise Time56 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant