STMicroelectronics STP4N150
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Offizielles DatenblattVor 6 Jahren
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP4N150, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
STP4N150 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 1500 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-220, Through Hole
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 160 W
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1500V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 1.5KV, 4A, TO-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:1.5kV; Continuous Drain Current Id:4A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.5 kV
Drain to Source Resistance7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.5 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage1.5 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max7 Ω
Resistance7 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)1.5 kV
Dimensions
Height19.68 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant