STMicroelectronics STP30N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP30N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220
Transistor MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:140W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance139 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max139 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant