STMicroelectronics STP20N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP20N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STP20N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 710 V, 3-Pin TO-220
130W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 45nC@ 10 V 1N 650V 190m¦¸@ 9A,10V 18A 1.345nF@100V TO-220 15.75mm
Trans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 18A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP20N65M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.345 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance168 MΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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