STMicroelectronics STP18N65M5
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Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
InfineonIPP60R199CPXKSA1
139W 20V 2.5V 32nC@ 10V 1N 650V 199m¦¸@ 10V 16A 1.52nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP18N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STP18N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15 A, 710 V, 3-PIN TO-220
110W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 31nC@ 10 V 1N 650V 220m¦¸@ 7.5A,10V 15A 1.24nF@100V TO-220 10.4mm*4.6mm
Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 15A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:15A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP18N65M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max220 mΩ
Resistance220 mΩ
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant