STMicroelectronics STP11NM80

N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220
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Newark

Datasheet22 SeitenVor 20 Jahren

Farnell

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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STP11NM80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220
STP11NM80 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 800 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:11A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:800V; Resistencia De Activación Rds(On):400Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:4V |Stmicroelectronics STP11NM80

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics