STMicroelectronics STP11N52K3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP11NK50Z
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
STMicroelectronicsSTP15NM65N
N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP11N52K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STP11N52K3 N-channel MOSFET Transistor, 10 A, 525 V, 4-Pin TO-220
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 525V, 0.51ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 525V, 10A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:525V; On Resistance Rds(on):0.41ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage525 V
Drain to Source Resistance510 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)525 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage525 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max510 mΩ
Resistance410 mΩ
Rise Time18 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time281 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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