STMicroelectronics STL50DN6F7
$ 0.628
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STL50DN6F7 | 54.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | STL50DN6F7 | 54.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | 497-16488-1-ND | 2.950 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STL50DN6F7 | 2.886 | 1 | 6h | ||||||||
| Avnet | STL50DN6F7 | 0 | 3K | 16h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-11-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMTH6009LK3Q-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 59A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6009LK3Q-13
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL50DN6F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 57A 2-Pin PowerFLAT T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
62.5W 20V 4V@ 250¦ÌA 17nC@ 10V 2N 60V 11m¦¸@ 7.5A,10V 57A 1.035nF@30V 1mm
Lv Mosfet Trench |Stmicroelectronics STL50DN6F7
Power MOSFETs, 60V, 57A, PowerFLAT 5x6 double island, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Tantalum Capacitors - Solid SMD 68uF 20volts 20% E case Molded
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual N-CH 60V 57A 11mOhm PF5x6
MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.035 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation62.5 W
Rds On Max11 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19.4 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Dimensions
Height1 mm
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