STMicroelectronics STL160N3LLH6
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2020-10-25
LTD Date2021-04-25
Verwandte Teile
InfineonIRF6717MTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R / MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
InfineonIRF6729MTR1PBF
Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH300NH02L-6
Mosfet, N-Ch, 24V, 180A, H2Pak-6 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STH300NH02L-6
STMicroelectronicsSTV300NH02L
STV300NH02L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 280 A, 24 V, 10-PIN POWERSO
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL160N3LLH6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
MOSFET 30V 13mOhm 35A PwFLAT5x6 RoHSconf
Trans MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin Power Flat T/R
35 A 30 V 0.002 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
MOSFET, N CH, 30V, 160A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:160A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:80W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerFLAT; No. of Pins:5; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:160A
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time54 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.375 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max1.3 mΩ
Resistance1.3 MΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time107.5 ns
Turn-On Delay Time18.5 ns
Dimensions
Height880 µm
Length4.75 mm
Width5.75 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant