STMicroelectronics STK820
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Verwandte Teile
VishaySI7149DP-T1-GE3
VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V
VishaySI7634BDP-T1-GE3
SI7634BDP Series N-Channel 30 V 0.0054 Ohm Power MosFet SMT - POWERPAK-SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STK820, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET Transistors 25V 0.005 21A N-Channel
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 10-Pin PolarPAK T/R
N-channel 24V - 0.005Ohm - 21A - PolarPAK®
21 A 25 V 0.008 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 25V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins10
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)25 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.425 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation5.2 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time17 ns
Datenblätter und Dokumente
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