STMicroelectronics STI18N65M5
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STI18N65M5 | 0 | 1K | 3h | ||||||||
| Microchip USA | STI18N65M5 | 139 | 150 | Tray | 4d | |||||||
| Component Stockers USA | STI18N65M5 | 328 | >1wk | |||||||||
| Worldway Electronics | STI18N65M5 | 29.952 | 7 | Tube | 1h | |||||||
| Aztech | STI18N65M5 | 12.286 | 3d |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI18N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin TO-262 Tube
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET 650V 0.279 OHM
CAP CER 1000PF 1KV 10% RADIAL
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max220 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Datenblätter und Dokumente
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