STMicroelectronics STH3N150-2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH3N150-2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.5 A PowerMESH(TM) power MOSFET in H2PAK-2 package
STH3N150-2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.5 A, 1500 V, 3-PIN H2PAK-2
Single N-Channel 1500 V 9 Ohm 29.3 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 Ohm, H2PAK-2, 3 Pins, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 1.5KV, 2.5A, H2PAK-2-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: 1.5kV; On Resistance Rds(on): 6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 140W; Transistor Case Style: H2PAK-2; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: PowerMESH Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.5 kV
Drain to Source Resistance9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.5 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance939 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Manufacturer Package IdentifierH2PAK-2-8159712
Min Breakdown Voltage1.5 kV
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max9 Ω
Rise Time47 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height5 mm
Length10.4 mm
Width15.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant