STMicroelectronics STH270N8F7-6
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH315N10F7-6
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTH310N10F7-6
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
InfineonIPB180N08S402ATMA1
80V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
STMicroelectronicsSTH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
InfineonIRFS7534TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH270N8F7-6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STH270N8F7-6 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 80 V, 7-Pin H2PAK-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 80V, 180A, H2Pak-6; |Stmicroelectronics STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 80V, 180A, H2PAK-6, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
315W(Tc) 20V 4V@ 250µA 193nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 2.1mΩ@ 90A,10V 180A 13.6nF@50V H2PAK SMD mount 5mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time180 ns
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time56 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width15.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant