STMicroelectronics STH270N8F7-6
$ 2.255
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STH270N8F7-6 | 3.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | 497-13874-1-ND | 2.330 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STH270N8F7-6 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STH270N8F7-6 | 0 | 1K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | STH270N8F7-6 | 0 | 1K |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STMicroelectronicsSTH275N8F7-6AG
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60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH270N8F7-6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STH270N8F7-6 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 80 V, 7-Pin H2PAK-6
Mosfet, N-Ch, 80V, 180A, H2Pak-6 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time180 ns
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time56 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width15.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant