STMicroelectronics STH185N10F3-6
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Beschreibungen
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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STMicroelectronics SCT
16/32-Bits Micros |Stmicroelectronics STH185N10F3-6
CAP CERAMIC DISK RDL SHORT LEADS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Input Capacitance6.665 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max4.5 mΩ
Turn-Off Delay Time99.9 ns
Turn-On Delay Time25.6 ns
Dimensions
Length15.25 mm
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