Infineon IGW75N60TFKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
onsemiFGY75N60SMD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube / IGBT 600V 150A 750W POWER-247
onsemiFGH60N60SMD-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IGW75N60TFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT,600V,75A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:428W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:428W
Hard-switching 600 V, 75 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current150 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation428 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation428 W
Dimensions
Height5.21 mm
Length16.13 mm
Width21.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen