STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
$ 3.687
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey497-STGW75H65DFB2-4-ND481Tube
VericalSTGW75H65DFB2-41.8002
Arrow ElectronicsSTGW75H65DFB2-41.8001
TME
2
STGW75H65DFB2-4361
4h
NewarkSTGW75H65DFB2-401

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Verical
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7 / IGBT Trench Field Stop 650 V 115 A 357 W Through Hole TO-247-4
Win Source
Insulated Gate Bipolar Transistor, 115A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IHS
Short-circuit rugged IGBT, TO247-4, Tube
STMicroelectronics SCT
357W 115A 650V Trench Field Stop TO-247-4 IGBTs ROHS
Dasenic
TO247-4 IGBT 75A 650V HB2 SERI
Anglia
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
Vigor Components
IGBT, SINGLE, 650V, 115A, TO-247; Continuous Collector Current:115A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:357W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

RS APAC
TME
LZChips
element14 APAC
RS APAC

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics