STMicroelectronics STGW40S120DF3
Obsolete
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW40S120DF3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
STMICROELECTRONICS STGW40S120DF3 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT 1200V 40A TO247 / Low thermal resistance
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247-3; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 468W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current80 A
Max Power Dissipation468 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time355 ns
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