STMicroelectronics STGW15H120DF2
$ 1.36
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STGW15H120DF2 | 1.200 | 600 | |||||||||
| Verical | STGW15H120DF2 | 1.200 | 600 | |||||||||
| DigiKey | 497-14712-5-ND | 16 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGW15H120DF2 | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Avnet | STGW15H120DF2 | 0 | 600 | 5d |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW15H120DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Very fast recovery antiparallel diode | IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
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Igbt |Stmicroelectronics STGW15H120DF2
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IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current15 A
Forward Voltage3.5 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation259 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time231 ns
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