Infineon IRG7PH30K10DPBF
$ 12.29
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 9 Jahren
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-09-01
LTD Date2017-03-01
Verwandte Teile
InfineonIRG4PH40KPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
onsemiFGH15T120SMD-F155
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG4PH40KDPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG7PH30K10DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBT,N CH,1200V,30A,TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:180W
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation180 W
Reverse Recovery Time140 ns
Rise Time41 ns
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 9 Jahren
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen