STMicroelectronics STGFW20V60DF
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-01-28
LTD Date2023-07-28
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IGBT 600V 40A 167W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 167 W Through Hole TO-220
onsemiFGH20N60SFDTU-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG4PC40UD-EPBF
IGBT 600V 40A 160W TO247AD / Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGFW20V60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
STGFW20V60DF, IGBT Transistor, 40 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-3P
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
TO-3PF IGBT Transistors / Modules ROHS
Igbt |Stmicroelectronics STGFW20V60DF
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
52W 1.8V 600V 40A TO-3PF 15.7mm*5.7mm*26.7mm
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3PF
TO-3PF IGBT 20A 600V TRENCH GA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.961991 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation86.7 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time40 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height26.7 mm
Length15.7 mm
Width5.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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