STMicroelectronics STFW3N170
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFW3N170, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
63W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 1.7KV 13¦¸@ 1.3A,10V 2.6A 1.1nF@100V TO-3PF 29.4mm
Power MOSFET, N Channel, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-3PF, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Ptd High Voltage |Stmicroelectronics STFW3N170
MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
Power MOSFETs, 1700V, 2.6A, TO-3PF, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 1.7KV, 2.6A, 150DEG C, 63W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.6A; Drain Source Voltage Vds: 1.7kV; On Resistance Rds(on): 7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Resistance13 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.7 kV
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage1.7 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max13 Ω