STMicroelectronics STB4NK60Z-1
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB4NK60Z-1 | 5.000 | 1K | |||||||||
| TME | STB4NK60Z-1 | 0 | 1K | 23h | ||||||||
| Avnet | STB4NK60Z-1 | 0 | 2K | 10h | ||||||||
| Microchip USA | STB4NK60Z-1 | 1.204 | 3500 | Tray | 4d | |||||||
| Win Source | WS-STB4NK60Z-1 | 1.300 | 55 | 8h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFQI5N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB4NK60Z-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAK
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 26nC@ 10 V 1N 600V 2¦¸@ 2A,10V 4A 510pF@25V I2PAK 10mm*4.4mm*8.95mm
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
STB4NK60 Series 600 V 4 A 70 W Through Hole N-Ch Power MOSFET - I2PAK
4 A 600 V 2 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STB4NK60Z-1
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
600 V, 4 A, 1.76 OHM N-CHANNEL SUPERMESH POWER MOSFET IN I2PAK Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Power MOSFETs, 600V, 4A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time9.5 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time12 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant