STMicroelectronics STFI40N60M2
$ 4.67
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 511-STFI40N60M2 | 126 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STFI40N60M2 | 389 | 300 | Tray | 14h | |||||||
| Win Source | WS-STFI40N60M2 | 6.510 | 6 | 21h | ||||||||
| Worldway Electronics | STFI40N60M2 | 23.247 | 7 | Tube | 20h | |||||||
| Aztech | STFI40N60M2 | 5.005 | 17h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in I2PAK package
InfineonIPI60R099CPXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
STMicroelectronicsSTI33N60M2
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Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube / CoolMOS Power Transistor
STMicroelectronicsSTI40N65M2
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI40N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin I2PAK FP Tube
MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
CAP CER 33PF 50V C0G 0402
Ptd High Voltage
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.240009 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max88 mΩ
Rise Time13.5 ns
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time20.5 ns
Dimensions
Height10.8 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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