STMicroelectronics STF35N65M5
$ 8.24
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | STF35N65M5 | 0 | 10 | Bulk | 12h | |||||||
| Avnet | STF35N65M5 | 0 | 1K | 5d | ||||||||
| Microchip USA | STF35N65M5 | 2.114 | 600 | Tray | 7d | |||||||
| Win Source | WS-STF35N65M5 | 2.900 | 23 | 22h | ||||||||
| Worldway Electronics | STF35N65M5 | 24.530 | 7 | Tube | 21h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF35N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IC SER/DES 25-100MHZ FPD 48WQFN
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance98 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max98 mΩ
Resistance98 MΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant