STMicroelectronics STF32NM50N
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP
STMicroelectronicsSTF28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA60R125CPXKSA1
IPA60R125CP Series 650 V 25 A 0.125 Ohm CoolMos Power Transistor - TO-220-3
STMicroelectronicsSTF33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
VishaySIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E Series 500 V 26 A 145 mOhm Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
VishaySIHA25N50E-E3
35W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 86nC@ 10 V 1N 500V 145m¦¸@ 12A,10V 26A 1.98nF@100V TO-220
Beschreibungen
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N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
35W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 62.5nC@ 10 V 1N 500V 130m¦¸@ 11A,10V 22A 1.973nF@50V TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.973 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time21.5 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant