STMicroelectronics STF32NM50N
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP
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N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP N-Channel 650 V 25A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
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VishaySIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E Series 500 V 26 A 145 mOhm Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
VishaySIHA25N50E-E3
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF32NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
35W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 62.5nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 130m¦¸@ 11A,10V 22A 1.973nF@50V TO-220FP Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -4.49%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.973 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time21.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant