STMicroelectronics STF13NM60ND
$ 2.03
EOL
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +5.50%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF13NM60ND herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STF13NM60ND Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
STMicroelectronicsSTF14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
VishaySIHF12N60E-GE3
33W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 58nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-220 16.12mm
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF13NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STF13NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP
N-channel 600 V, 0.32 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP package
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220FP, Through Hole
25W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 24.5nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 5.5A,10V 11A 845pF@50V TO-220FP 4.6mm
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, TO-220FP; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:11A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +5.50%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance845 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time9.6 ns
Turn-On Delay Time46.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.6 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF13NM60ND herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant