STMicroelectronics STD9NM60N
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD10NM50N
STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
STMicroelectronicsSTD8NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.59 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
VishaySIHD7N60E-GE3
VISHAY SIHD7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD9NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A DPAK MDmesh(TM) II Power MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.745ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 600V, 6.5A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.63ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -1.45%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance745 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time26.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance452 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation70 W
Rds On Max745 mΩ
Resistance745 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time52.5 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant