STMicroelectronics STD6N95K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD6N95K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
MOSFET N-CHANNEL 950V 9A DPAK-TRANSISTOR
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 950V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 950V, 9A, 1OHM, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 950V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Operating Temperature Min: -55°C
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -4.50%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance1.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.25 Ω
Resistance1.25 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant