STMicroelectronics STD5N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD60R1K0CEATMA1
N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
InfineonIPD60R1K4C6ATMA1
28.4W(Tc) 20V 3.5V@ 90¦ÌA 9.4nC@ 10 V 1N 600V 1.4¦¸@ 1.1A,10V 3.2A 200pF@100V TO-252 2.56mm
onsemiFQD6N50CTF
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD5N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
N-Channel 600 V 3.5 A 1.4 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - DPAK
45W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 8.5nC@ 10 V 1N 600V 1.4¦¸@ 1.7A,10V 3.5A 211pF@100V TO-252
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STD5N60M2
600V 3.5A 45W 1.4´Î@10V1.7A 4V@250Ã×A N Channel DPAK MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance211 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time11.8 ns
Datenblätter und Dokumente
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