STMicroelectronics STD3NK90ZT4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STD3NK90ZT4 | 37.500 | 2500 | 13h | ||||||||
| Future Electronics | STD3NK90ZT4 | 20.000 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | STD3NK90ZT4 | 1.091 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STD3NK90ZT4 | 60.000 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD3NK90ZT4 | 60.000 | 2500 |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD3NK90ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD3NK90ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 900 V, 3-PIN DPAK
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK / Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-CHANNEL 900V-4.1 OHM-3A DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 900V, 3A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.5A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 4.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 3A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 900V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 900V, 3A, Dpak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:900V; Resistencia De Activación Rds(On):4.1Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD3NK90ZT4
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance4.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation90 W
Rds On Max4.8 Ω
Resistance4.8 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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