STMicroelectronics STD2NK100Z
$ 1.146
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STD2NK100Z | 35.000 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD2NK100Z | 35.000 | 2500 | |||||||||
| TME | STD2NK100Z | 374 | 1 | 7h | ||||||||
| Newark | STD2NK100Z | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STD2NK100Z | 0 | 2500 | 11h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -87.06%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STD2NK100Z Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD2NK90ZT4
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
STMicroelectronicsSTD3NK100Z
N-channel 1000 V, 5.4 Ohm, 2.5 A, DPAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD3NK80ZT4
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD2NK100Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 1000 V, 6.25 Ohm typ., 1.85 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
STD2NK100Z N-channel MOSFET Transistor, 1.85 A, 1000 V, 3-Pin TO-252
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.85 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 1.85A I(D), 1000V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 1KV, 1.85A, TO-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:1kV; Continuous Drain Current Id:1.85A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.75V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -87.06%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.85 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance499 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.5 Ω
Resistance8.5 Ω
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time41.5 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant