STMicroelectronics STD2NK100Z
$ 1.29
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -86.36%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STD2NK100Z Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD2NK90ZT4
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
STMicroelectronicsSTD3NK100Z
N-channel 1000 V, 5.4 Ohm, 2.5 A, DPAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD3NK80ZT4
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD2NK100Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 1000 V, 6.25 Ohm typ., 1.85 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
STD2NK100Z N-channel MOSFET Transistor, 1.85 A, 1000 V, 3-Pin TO-252
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.85 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 1.85A I(D), 1000V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 16nC@ 10 V 1individualNChannel 1KV 8.5Ω@ 900mA,10V 1.85A 499pF@25V DPAK，TO-252-3 SMD mount 2.63mm(height)
MOSFET, N CH, 1000V, 1.85A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.85A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 6.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -86.36%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.85 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance499 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.5 Ω
Resistance8.5 Ω
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time41.5 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant