STMicroelectronics STD2N80K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 / Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
InfineonIPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 / N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD2N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in DPAK package
STD2N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2 A, 800 V, 3-PIN DPAK
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 800V, 2A, TO-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Qualification:-RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance95 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max4.5 Ω
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant