STMicroelectronics STD25NF10T4

Name: STMicroelectronics STD25NF10T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD25NF10T4

N-Channel 100V - 0.033 Ohm - 25A - DPAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET

$ 0.577

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STD25NF10T4	1.733	1	Cut Tape	1,890	1,260	0,887	0,679	0,679
Arrow Electronics	2	STD25NF10T4	62.500	2500						0,468
Verical	2	STD25NF10T4	7.500	2500						0,434
TME	2	STD25NF10T4	3.742	1		1,973*	1,252*	0,850*	0,618*	0,556*	15h
DigiKey	3	497-7962-1-ND	3.931	1	Cut Tape	1,880	1,191	0,799	0,577	0,577

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Newark

Datasheet13 SeitenVor 20 Jahren

Datasheet18 SeitenVor 7 Jahren

Upverter

TME

Farnell

iiiC

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STMicroelectronicsSTD25NF10T4

STMicroelectronicsSTD26NF10

Price @ 1000

$ 0.577

$ 0.746

Stock

3,216,724

253,692

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

25 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

38 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

100 W

Input Capacitance

1.55 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STD25NF10T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 100V - 0.033 Ohm - 25A - DPAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET

STMicroelectronics

STD25NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 25 A, 100 V, 3-PIN DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK / Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Win Source

N-channel 100 V, 0.033 Ohm typ., 25 A StripFET Power MOSFET in DPAK package

Ciiva

N-Channel 100 V 0.038 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - TO-252-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, N CH, 100V, 25A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12.5A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 100W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 25A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V

Farnell

Mosfet, N Channel, 100V, 25A, Dpak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:12.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):33Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD25NF10T4

Newark

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Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

STD25NF10-T4

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)25 A

Current Rating25 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance38 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Dual Supply Voltage100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.55 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation100 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation100 W

Rds On Max38 mΩ

Resistance38 mΩ

Rise Time60 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time60 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height2.63 mm

Length6.6 mm

Width6.2 mm