STMicroelectronics STB55NF06L
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.7
Stock
44,770
840,817
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
-
-
Continuous Drain Current (ID)
55 A
55 A
Threshold Voltage
-
1.7 V
Rds On Max
-
40 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
-
95 W
Input Capacitance
1.7 nF
510 pF
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB55NF06L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET™II POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
STB55NF06L ST
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Resistance20 mΩ
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation95 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm