STMicroelectronics STB3NK60ZT4
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB3NK60ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB3NK60ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 600 V, 3-Pin D2PAK
Power Mosfet, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.3 Ohm, 10 V, 3.75 V |Stmicroelectronics STB3NK60ZT4
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 4 Pin
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A D²PAK Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
N-channel 600 V, 3.2 Ohm typ., 2.4 A SuperMESH PowerMOSFET in D2PAK package
Ciiva
N-CHANNEL 600 V-3.3 OHM-2.4 A D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
45W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 11.8nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 3.6Ω@ 1.2A,10V 2.4A 311pF@25V D2PAK SMD mount 2.63mm(height)
MOSFET,N CH,600V,2.4A,D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.4A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 3.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Current Rating2.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance3.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance311 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation45 W
Rds On Max3.6 Ω
Rise Time14 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant