STMicroelectronics STB35NF10
$ 1.2
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.18
Stock
49,411
607,718
Authorized Distributors
1
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Continuous Drain Current (ID)
40 A
40 A
Threshold Voltage
-
3 V
Rds On Max
-
35 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
115 W
Input Capacitance
1.55 nF
1.55 nF
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB35NF10, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB35NF10 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 40 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Resistance35 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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