STMicroelectronics STB32NM50N
$ 1.894
EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STB32NM50N | 3.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB32NM50N | 3.000 | 1K | |||||||||
| TME | STB32NM50N | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Newark | STB32NM50N | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STB32NM50N | 0 | 1 | Cut Tape |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
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MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB32NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STB32NM50N N-channel MOSFET Transistor, 22 A, 500 V, 3-Pin D2PAK
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N-Channel 500 V 130 mOhm SMT MDmesh II Power Mosfet - D2PAK
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MOSFET, N-CH, 500V, 22A, 190W, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh II Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.973 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation190 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time9.5 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time21.5 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant