STMicroelectronics STB21NK50Z
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.77%
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-21
LTD Date2019-06-21
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13.5 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB21NK50Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB21NK50Z N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 500 V, 3-Pin D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 500 V 0.27 Ohm Surface Mount SuperMesh Power MosFet - D2PAK
Automotive grade N-channel 500 V, 0.23 Ohm typ., 17 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a D2PAK package
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 500V, 17A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.77%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation190 W
Rds On Max270 mΩ
Resistance270 mΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant