STMicroelectronics STB14NK50ZT4
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Offizielles DatenblattVor 11 Jahren
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
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Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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STB14NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13.5 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB14NK50ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB14NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
N-Channel 500 V 11 A 380 mOhm 150 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 6 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
N-Channel 500V - 0.34 Ohm - 14A Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh, SuperMESHseries, Vds=500 V, 14 A, D2PAK (TO-263)encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, N CH, 500V, 14A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):340mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:14A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:150W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Dual Supply Voltage500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max380 mΩ
Resistance380 MΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant