STMicroelectronics STB200N6F3
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2012-05-15
LTD Date2012-11-15
Verwandte Teile
InfineonAUIRFS3206
MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
InfineonIPB120N06S403ATMA2
60V, N-Ch, 2.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
VishaySUM110N06-3M9H-E3
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.00325OHM, ID 110A, TO-263,PD 375W, VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB200N6F3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-Channel 60V 120A 3.6mΩ@60A,10V 330W(Tc) 20V 4V@250µA 100nC@10V 6.8nF@25V D2PAK SMD
N-channel 60 V, 3 mΩ, 120 A D²PAK, TO-220, I²PAK STripFET™2; Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max3.6 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Datenblätter und Dokumente
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