STMicroelectronics STB18NF25
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF640NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF9540NSTRRPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK "P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK"
STMicroelectronicsSTB55NF06T4
N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK "P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK"
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB18NF25, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
N-Channel MOSFET 250V 17A 110W(Tc) 4V@250µA 29.5nC@10V 165mΩ@8.5A,10V 1nF@25V TO-263 SMD
Automotive-grade N-channel 250 V, 0.14 Ohm, 17 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
N-Channel 250 V 165 mOhm 17 A Surface Mount Power MOSFET - D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max165 mΩ
Resistance165 MΩ
Rise Time17.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant