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Infineon IRF9540NSTRRPBF

MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK "P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK"
$ 0.75
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Rochester Electronics
2
IRF9540NSTRRPBF
1.600
USD
0,904
0,750
0,669
1h
RS (Formerly Allied Electronics)
IRF9540NSTRRPBF
0
800
Bulk
USD
3,180
3,010
15h
Microchip USA
IRF9540NSTRRPBF
394
600
USD
2,156
2,156
19h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.
IRF9540NSTRRPBF
4.848
1
Tape & Reel
USD
0,460
0,460
0,460
0,460
0,460
2d
Win Source
WS-IRF9540NSTRRPBF
76.570
85
USD
0,677
0,527
0,527
2h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

_legacy Avnet

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-08-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15

Verwandte Teile

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STMicroelectronicsSTB35NF10T4
N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF9540NSTRRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK "P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK"
Eurochip Technologies LTD
Single P-Channel 100V 117 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.117Ohm;ID -23A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Abacus Technologies
3.1W(Ta)，110W(Tc) 20V 4V@ 250µA 110nC@ 10 V 1individualPChannel 100V 117mΩ@ 14A,10V 23A 1.45nF@25V D2PAK SMD mount 5.08mm(height)
UnikeyIC
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-23A; On Resistance, Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Infineon
Newark
South Microelectronics
TME
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001555876