STMicroelectronics ST13003-K
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Stock
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805,677
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
SOT-32
SOT-32
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
400 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
-
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
3 V
hFE Min
5
5
Power Dissipation
40 W
40 W
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics ST13003-K, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Bag / TRANS NPN 400V 1.5A SOT-32
High voltage fast-switching NPN power transistor
400V 40W 1.5A 5@1A2V 1.5V@1.5A500mA NPN -40¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-32 Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN Transistor 40W 9V 1mA 400V 1.5A SOT-32-3 TH 10.8mm H
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR, NPN, 400V, 1.5A, SOT-32; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 20hFE; Transistor
Power Bjt, Npn, 400V, 1.5A, Sot-32; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:400V; Frecuencia De Transición Ft:-; Disipación De Potencia Pd:40W; Corriente De Colector Dc:1.5A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:20 |Stmicroelectronics ST13003-K
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-32
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min5
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height11.05 mm
Length7.8 mm
Width2.9 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant